ویفر تک کریستال یاقوت کبود جلا C Plane 2 اینچ 0001 430um

برد انتقال

0.17 تا 5.5 میکرون

ضریب شکست

1.75449 (o) 1.74663 (e) در 1.06 میکرون

از دست دادن بازتاب

در 1.06 میکرون (2 سطح) برای اشعه o - 11.7٪؛برای e-ray - 14.2٪

شاخص جذب

0.3 x 10-3 cm-1 در 2.4 میکرون

dN/dT

13.7 x 10-6 در 5.4 میکرون

dn/dm = 0

1.5 میکرون

تراکم

3.97 گرم بر سانتی متر³

نقطه ذوب

2040 درجه سانتیگراد

رسانایی گرمایی

27.21 W/(mx K) در 300 K

انبساط حرارتی

5.6 × 10^-6/K (محور C موازی) و 5.0 (محور C عمود بر) × 10^-6/ ک

سختی

Knoop 2000 کیلوگرم بر میلی متر²دارای تورفتگی 2000 گرمی

ظرفیت حرارتی ویژه

419 J/(kg x K)

ثابت دی الکتریک

11.5 (محور C موازی) 9.4 (محور C عمود بر) در 1 مگاهرتز

مدول یانگ (E)

335 گیگا پاسکال

مدول برشی (G)

148.1 گیگا پاسکال

مدول حجمی (K)

240 گیگا پاسکال

ضرایب الاستیک

سی₁₁=496 C₁₂= 164 درجه سانتیگراد₁₃=115
سی₃₃=498 C₄₄=148

حد الاستیک ظاهری

275 مگاپاسکال (40000 psi)

نسبت پواسون

0.25

گرایش

R-plane، C-plane، A-plane، M-plane یا یک جهت مشخص

مدارا جهت گیری

± 0.3 درجه

قطر

2 اینچ، 3 اینچ، 4 اینچ، 6 اینچ، 8 اینچ یا موارد دیگر

تحمل قطر

0.1 میلی متر برای 2 اینچ، 0.2 میلی متر برای 3 اینچ، 0.3 میلی متر برای 4 اینچ، 0.5 میلی متر برای 6 اینچ

ضخامت

0.25mm، 0.33mm، 0.43mm، 0.65mm، 1mm یا موارد دیگر؛

تحمل ضخامت

25 میکرومتر

طول تخت اولیه

16.0±1.0 میلی متر برای 2 اینچ، 22.0±1.0 میلی متر برای 3 اینچ، 30.0±1.5 میلی متر برای 4 اینچ، 47.5/50.0±2.0 میلی متر برای 6 اینچ

جهت گیری مسطح اولیه

A-plane (1 1-2 0 ) ± 0.2°;C-plane (0 0-0 1 ) ± 0.2°، C-Axis 45 +/- 2°

تی تی وی

≤10μm برای 2 اینچ، ≤15μm برای 3 اینچ، ≤20μm برای 4 اینچ، ≤25μm برای 6 اینچ

تعظیم

≤10μm برای 2 اینچ، ≤15μm برای 3 اینچ، ≤20μm برای 4 اینچ، ≤25μm برای 6 اینچ

سطح جلو

Epi-Polished (Ra<0.3nm برای C-plane، 0.5nm برای سایر جهت‌ها)

سطح پشت

آسیاب ریز (Ra=0.6μm~1.4μm) یا Epi-Poliished

بسته بندی

بسته بندی شده در محیط اتاق تمیز کلاس 100