 
|
باز کردن قفل لیتیوم تانتالات روی عایق (LTOI) برای کاربردهای فوتونیک پیشرفته
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | BonTek |
| گواهی: | ISO:9001, ISO:14001 |
| شماره مدل: | ویفر LNOI |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 25 عدد |
|---|---|
| قیمت: | $2000/pc |
| جزئیات بسته بندی: | بسته بندی کاست/ شیشه، با خلاء مهر و موم شده |
| زمان تحویل: | 1-4 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T |
| قابلیت ارائه: | 50000 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| تولید - محصول: | LiTaO3 On Insulator | قطر: | 4 اینچ، Φ100 میلی متر |
|---|---|---|---|
| لایه بالایی: | لیتیوم تانتالات | ضخامت بالا: | 300 تا 600 نانومتر |
| تابش: | اکسید حرارتی SiO2 | ضخامت تابش: | 2000±15nm; 2000±15 نانومتر؛ 3000±50nm; 50±3000 نانومتر؛ 4700±100nm |
| لایه: | ویفر سیلیکونی | کاربرد: | موجبرهای نوری و مایکروویو |
| برجسته کردن: | لیتیوم تانتالات فوتونیک روی عایق,ویفر پیزوالکتریک LTOI |
||
توضیحات محصول
باز کردن پتانسیل لیتیوم تانتالات در عایق (LTOI) برای کاربردهای فوتونیک پیشرفته
LTOI مخفف Lithium Tantalate on Insulator است که یک فناوری بستر تخصصی است که در زمینه فوتونیک یکپارچه استفاده می شود.این شامل انتقال یک لایه نازک از کریستال لیتیوم تانتالات (LiTaO3) بر روی یک بستر عایق، معمولاً دی اکسید سیلیکون (SiO2) یا نیترید سیلیکون (Si3N4) است.بسترهای LTOI مزایای منحصر به فردی را برای توسعه دستگاه های فوتونیکی فشرده و با کارایی بالا ارائه می دهند.
بسترهای LTOI از طریق یک فرآیند پیوند ایجاد می شوند که در آن یک لایه نازک از کریستال لیتیوم تانتالات بر روی یک بستر عایق منتقل می شود.این فرآیند را می توان از طریق تکنیک های مختلفی از جمله پیوند ویفر یا برش یونی به دست آورد و از پیوند قوی بین لایه ها اطمینان حاصل کرد.
بسترهای LTOI مزایای منحصر به فردی را برای کاربردهای فوتونیکی پیشرفته ارائه می دهند.استفاده از آنها در تعدیل‌کننده‌های الکترواپتیک، موجبرها، دستگاه‌های نوری غیرخطی، حسگرها، فوتونیک کوانتومی و مدارهای فوتونیک یکپارچه، نشان‌دهنده طیف وسیعی از کاربردها و پتانسیل بالا بردن مرزهای فناوری فوتونیک یکپارچه است.
| ویفر LTOI | |||
| ساختار | LiTaO3 / SiO2/ سی | LTV / PLTV | < 1.5 میکرومتر (5∗5 میلی متر2) / 95٪ |
| قطر | Φ100 ± 0.2 میلی متر | حذف لبه | 5 میلی متر |
| ضخامت | 20 ± 500 میکرومتر | تعظیم | در 50 میکرومتر |
| طول تخت اولیه | 2 ± 47.5 میلی متر 2 ± 57.5 میلی متر |
برش لبه | 0.5 ± 2 میلی متر |
| ویفر Beveling | نوع R | محیطی | Rohs 2.0 |
| لایه LT بالا | |||
| ضخامت متوسط | 400/600±10 نانومتر | یکنواختی | <40 نانومتر @17 نقطه |
| ضریب شکست | no > 2.2800، ne < 2.2100 @ 633 نانومتر | گرایش | محور Z ± 0.3 درجه |
| مقطع تحصیلی | نوری | سطح Ra | <0.5 نانومتر |
| عیوب | > 1 میلی متر هیچ ≦1 میلی متر در مجموع 300 |
لایه لایه شدگی | هیچ یک |
| خراش | > 1 سانتی متر هیچ ≦1 سانتی متر در 3 |
تخت اولیه | عمود بر محور +Y ± 1 درجه |
| جداسازی SiO2لایه | |||
| ضخامت متوسط | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | یکنواختی | <±1% @17 امتیاز |
| فابروش | اکسید حرارتی | ضریب شکست | 1.45-1.47 @ 633 نانومتر |
| لایه | |||
| مواد | سی | گرایش | <100> ± 1 درجه |
| جهت گیری مسطح اولیه | <110> ± 1 درجه | مقاومت | > 10 kΩ·cm |
| آلودگی پشت | بدون لکه قابل مشاهده | پشت | اچ |
